Это двухтранзисторная ячейка с тонким слоем окисла. Второй транзистор позволяет избавиться от многих недостатков, присущих однотранзисторным ячейкам. Второй транзистор (рис. 3) используется для изоляции ячейки от битовой линии. Что ж, чрезмерные требования к производственному процессу и занимаемому ячейкой пространству компенсируются исчезновением проблем, связанных с избыточным удалением, когда одна ячейка блокирует работу всех остальных на общей битовой линии. Напряжения стирания и программирования несколько снижены за счет формирования небольшой зоны более тонкого слоя окиси кремния (8,5 нм). Ток программирования достигает всего 10 pA -- значительный шаг вперед по сравнению с вышеописанным типом ячейки (1 mA). В этом нет ничего удивительного -- в двухтранзисторной ячейке все операции с плавающим затвором основаны на эффекте туннелирования. Чтобы запрограммировать ячейку, отрицательное высокое напряжение подается на управляющий затвор (электроны туннелируют на плавающий затвор), а чтобы стереть -- положительное подается на сток (электроны туннелируют с плавающего затвора на сток).

Экономия в двухтранзисторной конфигурации достигается за счет общей линии слов: ячейки, принадлежащие одной линии, образуют страницу. Благодаря такой внутренней организации реализуется операция постраничной записи и чтения. Далее, несмотря на то, что на иллюстрациях оба транзистора выглядят одинаковыми по размеру, на самом деле это далеко не так. Размеры запоминающего транзистора диктуются необходимостью накопления на его плавающем затворе заряда необходимой величины. В то же время размеры дополнительного, изолирующего, транзистора ограничены только разрешением выбранной технологии производства.