Новые технологии:

Blu-Ray Profile версии 1.0, 1.1 и 2.0

News image

Прошло уже несколько лет с тех пор, как на рынке появился первый Blu-ray плеер. За это время формат Blu-ray ...

Достоинства и недостатки Blu-Ray Disc

News image

Достоинства Blu-Ray Disc состоят не только в огромной емкости, но и в том, что его разрабатывали и собираютс...

Авторизация





SST Cell
Технологии - О USB flash памяти

sst cell

Если предыдущие варианты реализации ячеек памяти EEPROM получили названия согласно своей физической сути, то имя SST является не чем иным, как аббревиатурой от Silicon Storage Technology. Технология была изобретена в этой компании, и она по праву решила увековечить себя хотя бы в наименовании ячейки.

В сравнении с вышеописанными устройствами SST Cell выглядит более изящно (рис. 4). Как обычно, ячейки объединены вдоль линий слов (страницы) и линий бит (секторы). Ячейки, соединенные управляющими базами, образуют слова, ячейки, соединенные стоками, -- битовые линии. Пару слов (четные и нечетные биты), связанные общим истоком, называют страницей, которая удаляется как единый элемент. Страничная организация частично снимает вопрос перекрестного влияния операций удаления и программирования, ограничивая этот эффект пределами одной страницы.

Процесс удаления заключается в снятии с плавающего затвора отрицательного заряда за счет эффекта туннелирования Фаулера--Нордхейма между управляющей и плавающей базами. Во время удаления к управляющей базе (линия слова) прикладывается высокое напряжение (15 В), в то время как исток и сток ячейки заземляются. За счет выгнутой области у края плавающей базы образуются весьма благоприятные условия для туннелирования. Под воздействием сильного электрического поля электроны, составлявшие отрицательный заряд плавающего затвора, переносятся через тонкий слой диэлектрика-оксида на управляющую базу. В конце концов, на истощенном плавающем затворе формируется положительный заряд. Как видно из схемы ячейки, после выполнения операции удаления при подаче тестового напряжения на управляющий затвор (VREF) и 2 В на сток между стоком и истоком будет протекать ток, поскольку плавающая база создает вспомогательное, положительное поле, дополняющее канал управляющего затвора.

При программировании возникает обратная задача -- необходимо сообщить плавающей базе отрицательный заряд, своим полем преграждающий путь электронам от истока к стоку. Как и обычно, здесь применяется эффект горячих электронов. Сток заземляется, а к истоку прикладывают напряжение 12 В; на управляющий затвор подается напряжение VT, которое открывает часть канала составного транзистора вплоть до области, контролируемой плавающей базой. Высокое напряжение и мощное электрическое поле, возникающее между истоком и стоком, генерируют так называемые горячие тепловые электроны, обладающие высокой энергией, достаточной, чтобы преодолеть барьер 3,2 эВ, создаваемый оксидным изолирующим слоем, и присоединиться к заряду плавающей базы. Процесс останавливается естественным путем, когда емкость плавающей базы исчерпывается.

SST-память является абсолютным лидером по совокупности положительных качеств. Процесс производства ее прост -- 14 масочных слоев против 19 или 21, требуемых для одно - и двухтранзисторных ячеек. Толстый слой окиси (40 нм) снижает вероятность возникновения утечки электронов. Страничная организация уменьшает эффект взаимовлияния при программировании и стирании. Поскольку канал управляется плавающим затвором лишь частично, о такой неприятной вещи, как чрезмерное стирание, можно забыть. Более того, особая форма плавающего затвора снижает требования к напряжению программирования и стирания, а также повышает скорость выполнения данных операций.

И в конце этого небольшого обзора технологий упомянем новые разновидности flash-памяти, одну из которых недавно разработала корпорация Intel -- StrataFlash. За счет технологии multilevel cell (MLC), аналога ML-ROM, она позволяет в каждой ячейке хранить два бита информации. Это достигается тем, что StrataFlash оперирует четырьмя уровнями заряда, кодирующими два бита. Уровень заряда определяет напряжение, которое необходимо приложить к управляющему затвору, чтобы открыть транзистор. Забавно, но в данном случае технология повторяет уже пройденный путь: когда-то в прошлом некоторые автоответчики снабжались flash-памятью, позволявшей при небольшом объеме записывать аудиофрагменты значительной длительности. Магия, достойная Гарри Поттера, на поверку оказалась обыкновенным фокусом: в ячейки записывался аналоговый, т. е., выражаясь модными ныне терминами, многоуровневый сигнал.

Intel первый, но не единственный игрок на рынке MLC. Вслед за корпорацией-первопроходцем технологию начали осваивать STMicroelectronics, SanDisk, Hynix, Samsung, Sharp и Toshiba. Помимо вышеперечисленных компаний, необходимо помнить об альянсе AMD (одного из крупнейших поставщиков flash-памяти) и Fujitsu, который обещает скорое появление альтернативы MLC для чипов NAND-типа (разработками занимается венчурная фирма FASL). Методика называется Mirror Bit и в корне отличается от многоуровневой ячейки Intel. В данном случае речь идет действительно о двух раздельно хранящихся битах. Еще одна мультибитовая технология является плодом усилий компании Saifun -- Nitrided ROM (NROM). Методика позволяет не только хранить по два бита в одной ячейке, но и упрощает процесс изготовления микросхем. В разработке участвуют Infineon и Hynix. Первый анонсированный чип будет иметь емкость 512 Mb.

 


Читайте:


Добавить комментарий


Защитный код
Обновить

Технология работы жёстких дисков:

News image

ПОВЕРХНОСТНАЯ ПЛОТНОСТЬ ЗАПИСИ

Основной критерий оценки накопителей на жестких дисках — поверхностная плотность записи. Она определяется как произведение линейной плотности записи...

News image

Конструкции головок чтения/записи

По мере развития технологии производства дисковых накопителей совершенствовались и конструкции головок чтения/записи. Первые головки представляли со...

News image

Ограничения BIOS

инфраструктуры, включающие в себя жесткий диск объемом до 8 Гбайт, далеко не всегда позволяют обрабатывать накопители большей емкости без соответств...

Работа с технологией DVD:

Запись двухслойных DVD - проблемы и их решения

News image

Сегодня мало кого можно удивить шестнадцатикратной скоростью записи DVD, хотя еще в начале этого года четырехкратная с...

В каком формате мы будем записывать диски DVD

News image

С выходом на рынок в этом году первых продуктов DVD+RW давний спор о том, какой из перезаписываемых стандартов DVD явл...

Как перепрошить DVD-привод

News image

Прошивка (firmware) – это программное обеспечение, которое фактически является операционной системой устройства (микро...

Зачем Вам DVD?

News image

Четкость изображения. Допустим, у Вас есть видеозапись на кассете miniDV, Digital8 или Hi8. Это значит, что Вы цените ...

Программы для продвинутых любителей

News image

Sonic DVDiT Professional Edition 2.5.2 - эта программа, несмотря на свою простоту, имеет ряд существенных отличий от п...

HD DVD наступает под флагом компании NEC, но пока только в области DVD-ROM

News image

Глядя на сегодняшнее разнообразие оптических носителей, иногда вспоминаются мне старые добрые времена, когда фактическ...

Копированию DVD будет положен конец?

News image

Американская ассоциация кино (MPAA), торговая организация, представляющая интересы кинокомпаний Paramount Pictures, Tw...

Прошивка DVD-привода из DOS

News image

Вставьте в дисковод-флоппи 3,5 -дискету (видите, иногда они еще могут о-о-чень пригодиться!). – Откройте Мой компьюте...