Новые технологии:

Blu-Ray Profile версии 1.0, 1.1 и 2.0

News image

Прошло уже несколько лет с тех пор, как на рынке появился первый Blu-ray плеер. За это время формат Blu-ray ...

ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТЬ И КАЧЕСТВО. Высокая четкость — значит рес

News image

Качество киноматериала, размещенного на дисках Blu-ray и HD-DVD, гораздо выше, чем у DVD. Поэтому даже на хо...

Авторизация





SST Cell
Технологии - О USB flash памяти

sst cell

Если предыдущие варианты реализации ячеек памяти EEPROM получили названия согласно своей физической сути, то имя SST является не чем иным, как аббревиатурой от Silicon Storage Technology. Технология была изобретена в этой компании, и она по праву решила увековечить себя хотя бы в наименовании ячейки.

В сравнении с вышеописанными устройствами SST Cell выглядит более изящно (рис. 4). Как обычно, ячейки объединены вдоль линий слов (страницы) и линий бит (секторы). Ячейки, соединенные управляющими базами, образуют слова, ячейки, соединенные стоками, -- битовые линии. Пару слов (четные и нечетные биты), связанные общим истоком, называют страницей, которая удаляется как единый элемент. Страничная организация частично снимает вопрос перекрестного влияния операций удаления и программирования, ограничивая этот эффект пределами одной страницы.

Процесс удаления заключается в снятии с плавающего затвора отрицательного заряда за счет эффекта туннелирования Фаулера--Нордхейма между управляющей и плавающей базами. Во время удаления к управляющей базе (линия слова) прикладывается высокое напряжение (15 В), в то время как исток и сток ячейки заземляются. За счет выгнутой области у края плавающей базы образуются весьма благоприятные условия для туннелирования. Под воздействием сильного электрического поля электроны, составлявшие отрицательный заряд плавающего затвора, переносятся через тонкий слой диэлектрика-оксида на управляющую базу. В конце концов, на истощенном плавающем затворе формируется положительный заряд. Как видно из схемы ячейки, после выполнения операции удаления при подаче тестового напряжения на управляющий затвор (VREF) и 2 В на сток между стоком и истоком будет протекать ток, поскольку плавающая база создает вспомогательное, положительное поле, дополняющее канал управляющего затвора.

При программировании возникает обратная задача -- необходимо сообщить плавающей базе отрицательный заряд, своим полем преграждающий путь электронам от истока к стоку. Как и обычно, здесь применяется эффект горячих электронов. Сток заземляется, а к истоку прикладывают напряжение 12 В; на управляющий затвор подается напряжение VT, которое открывает часть канала составного транзистора вплоть до области, контролируемой плавающей базой. Высокое напряжение и мощное электрическое поле, возникающее между истоком и стоком, генерируют так называемые горячие тепловые электроны, обладающие высокой энергией, достаточной, чтобы преодолеть барьер 3,2 эВ, создаваемый оксидным изолирующим слоем, и присоединиться к заряду плавающей базы. Процесс останавливается естественным путем, когда емкость плавающей базы исчерпывается.

SST-память является абсолютным лидером по совокупности положительных качеств. Процесс производства ее прост -- 14 масочных слоев против 19 или 21, требуемых для одно - и двухтранзисторных ячеек. Толстый слой окиси (40 нм) снижает вероятность возникновения утечки электронов. Страничная организация уменьшает эффект взаимовлияния при программировании и стирании. Поскольку канал управляется плавающим затвором лишь частично, о такой неприятной вещи, как чрезмерное стирание, можно забыть. Более того, особая форма плавающего затвора снижает требования к напряжению программирования и стирания, а также повышает скорость выполнения данных операций.

И в конце этого небольшого обзора технологий упомянем новые разновидности flash-памяти, одну из которых недавно разработала корпорация Intel -- StrataFlash. За счет технологии multilevel cell (MLC), аналога ML-ROM, она позволяет в каждой ячейке хранить два бита информации. Это достигается тем, что StrataFlash оперирует четырьмя уровнями заряда, кодирующими два бита. Уровень заряда определяет напряжение, которое необходимо приложить к управляющему затвору, чтобы открыть транзистор. Забавно, но в данном случае технология повторяет уже пройденный путь: когда-то в прошлом некоторые автоответчики снабжались flash-памятью, позволявшей при небольшом объеме записывать аудиофрагменты значительной длительности. Магия, достойная Гарри Поттера, на поверку оказалась обыкновенным фокусом: в ячейки записывался аналоговый, т. е., выражаясь модными ныне терминами, многоуровневый сигнал.

Intel первый, но не единственный игрок на рынке MLC. Вслед за корпорацией-первопроходцем технологию начали осваивать STMicroelectronics, SanDisk, Hynix, Samsung, Sharp и Toshiba. Помимо вышеперечисленных компаний, необходимо помнить об альянсе AMD (одного из крупнейших поставщиков flash-памяти) и Fujitsu, который обещает скорое появление альтернативы MLC для чипов NAND-типа (разработками занимается венчурная фирма FASL). Методика называется Mirror Bit и в корне отличается от многоуровневой ячейки Intel. В данном случае речь идет действительно о двух раздельно хранящихся битах. Еще одна мультибитовая технология является плодом усилий компании Saifun -- Nitrided ROM (NROM). Методика позволяет не только хранить по два бита в одной ячейке, но и упрощает процесс изготовления микросхем. В разработке участвуют Infineon и Hynix. Первый анонсированный чип будет иметь емкость 512 Mb.

 


Читайте:


Добавить комментарий


Защитный код
Обновить

Технология работы жёстких дисков:

News image

Вспомогательный клин

Такая система записи сервокодов использовалась в первых накопителях с подвижной катушкой. Вся информация, необходимая для наведения (позиционировани...

News image

Автоматическая парковка головок

При выключении питания с помощью инфраструктуры CSS (contact start stop — контактная парковочная система) рычаги с головками озапускаются на поверхн...

News image

RAID для дома

RAID-контроллер, который, собственно, и занимается «обманом» системы, выдавая несколько дисков за один, предлагает пользователю несколько вариантов ...

Работа с технологией DVD:

Как перепрошить DVD-привод

News image

Прошивка (firmware) – это программное обеспечение, которое фактически является операционной системой устройства (микро...

Пережатие DVD видео в исходном формате MPEG2

News image

Пережатие DVD видео может проводиться с перекодировкой в более современные форматы, либо в рамках исходного формата MP...

Региональная защита

News image

Для того, чтобы проводить прокат фильмов с наибольшей выгодой, производитель DVD-Video диска может установить на него ...

Вариации на тему записываемых DVD

News image

На данный момент есть шесть стандартов на записываемые версии DVD-ROM: это DVD-R General для общего использования, DVD...

Прошивка DVD-привода из DOS

News image

Вставьте в дисковод-флоппи 3,5 -дискету (видите, иногда они еще могут о-о-чень пригодиться!). – Откройте Мой компьюте...

Как хранить компакт и DVD диски

News image

Проблеме обеспечения условий сохранности аудиовизуальных электронных материалов, записанных на различные многослойные ...

Какие виды развёртки бывают, и чем они отличаются?

News image

Развёртка бывает чрезстрочной (interlaced) и прогрессивной (progressive). Чрезстрочная развертка используется на под...

Запись диска

News image

Основы процесса записи дисков DVD-R должны быть знакомы любому пользователю технологии CD-R. Как и CD-R, диски DVD-R з...