Новые технологии:

Единого формата DVD следующего поколения не будет

News image

Интересующихся развитием ситуации на рынке новых DVD-форматов снова порадовали разработчики конкурирующих ...

Бесконечная эпопея с HD DVD принимает новый оборот.. и оканч

News image

Эта песня хороша, начинай сначала . Признаться, когда мы расписывали в течение последних нескольких дней к...

Авторизация





SST Cell
Технологии - О USB flash памяти

sst cell

Если предыдущие варианты реализации ячеек памяти EEPROM получили названия согласно своей физической сути, то имя SST является не чем иным, как аббревиатурой от Silicon Storage Technology. Технология была изобретена в этой компании, и она по праву решила увековечить себя хотя бы в наименовании ячейки.

В сравнении с вышеописанными устройствами SST Cell выглядит более изящно (рис. 4). Как обычно, ячейки объединены вдоль линий слов (страницы) и линий бит (секторы). Ячейки, соединенные управляющими базами, образуют слова, ячейки, соединенные стоками, -- битовые линии. Пару слов (четные и нечетные биты), связанные общим истоком, называют страницей, которая удаляется как единый элемент. Страничная организация частично снимает вопрос перекрестного влияния операций удаления и программирования, ограничивая этот эффект пределами одной страницы.

Процесс удаления заключается в снятии с плавающего затвора отрицательного заряда за счет эффекта туннелирования Фаулера--Нордхейма между управляющей и плавающей базами. Во время удаления к управляющей базе (линия слова) прикладывается высокое напряжение (15 В), в то время как исток и сток ячейки заземляются. За счет выгнутой области у края плавающей базы образуются весьма благоприятные условия для туннелирования. Под воздействием сильного электрического поля электроны, составлявшие отрицательный заряд плавающего затвора, переносятся через тонкий слой диэлектрика-оксида на управляющую базу. В конце концов, на истощенном плавающем затворе формируется положительный заряд. Как видно из схемы ячейки, после выполнения операции удаления при подаче тестового напряжения на управляющий затвор (VREF) и 2 В на сток между стоком и истоком будет протекать ток, поскольку плавающая база создает вспомогательное, положительное поле, дополняющее канал управляющего затвора.

При программировании возникает обратная задача -- необходимо сообщить плавающей базе отрицательный заряд, своим полем преграждающий путь электронам от истока к стоку. Как и обычно, здесь применяется эффект горячих электронов. Сток заземляется, а к истоку прикладывают напряжение 12 В; на управляющий затвор подается напряжение VT, которое открывает часть канала составного транзистора вплоть до области, контролируемой плавающей базой. Высокое напряжение и мощное электрическое поле, возникающее между истоком и стоком, генерируют так называемые горячие тепловые электроны, обладающие высокой энергией, достаточной, чтобы преодолеть барьер 3,2 эВ, создаваемый оксидным изолирующим слоем, и присоединиться к заряду плавающей базы. Процесс останавливается естественным путем, когда емкость плавающей базы исчерпывается.

SST-память является абсолютным лидером по совокупности положительных качеств. Процесс производства ее прост -- 14 масочных слоев против 19 или 21, требуемых для одно - и двухтранзисторных ячеек. Толстый слой окиси (40 нм) снижает вероятность возникновения утечки электронов. Страничная организация уменьшает эффект взаимовлияния при программировании и стирании. Поскольку канал управляется плавающим затвором лишь частично, о такой неприятной вещи, как чрезмерное стирание, можно забыть. Более того, особая форма плавающего затвора снижает требования к напряжению программирования и стирания, а также повышает скорость выполнения данных операций.

И в конце этого небольшого обзора технологий упомянем новые разновидности flash-памяти, одну из которых недавно разработала корпорация Intel -- StrataFlash. За счет технологии multilevel cell (MLC), аналога ML-ROM, она позволяет в каждой ячейке хранить два бита информации. Это достигается тем, что StrataFlash оперирует четырьмя уровнями заряда, кодирующими два бита. Уровень заряда определяет напряжение, которое необходимо приложить к управляющему затвору, чтобы открыть транзистор. Забавно, но в данном случае технология повторяет уже пройденный путь: когда-то в прошлом некоторые автоответчики снабжались flash-памятью, позволявшей при небольшом объеме записывать аудиофрагменты значительной длительности. Магия, достойная Гарри Поттера, на поверку оказалась обыкновенным фокусом: в ячейки записывался аналоговый, т. е., выражаясь модными ныне терминами, многоуровневый сигнал.

Intel первый, но не единственный игрок на рынке MLC. Вслед за корпорацией-первопроходцем технологию начали осваивать STMicroelectronics, SanDisk, Hynix, Samsung, Sharp и Toshiba. Помимо вышеперечисленных компаний, необходимо помнить об альянсе AMD (одного из крупнейших поставщиков flash-памяти) и Fujitsu, который обещает скорое появление альтернативы MLC для чипов NAND-типа (разработками занимается венчурная фирма FASL). Методика называется Mirror Bit и в корне отличается от многоуровневой ячейки Intel. В данном случае речь идет действительно о двух раздельно хранящихся битах. Еще одна мультибитовая технология является плодом усилий компании Saifun -- Nitrided ROM (NROM). Методика позволяет не только хранить по два бита в одной ячейке, но и упрощает процесс изготовления микросхем. В разработке участвуют Infineon и Hynix. Первый анонсированный чип будет иметь емкость 512 Mb.

 


Читайте:


Добавить комментарий


Защитный код
Обновить

Технология работы жёстких дисков:

News image

Описание некоторых областей сектора и дорожки записи

Послеиндексный интервал нужен для того, чтобы при перемещении головки на новую дорожку переходные процессы (установка) закончились до того, как она ...

News image

SCSI: интерфейс не для всех

Жесткие диски с интерфейсом SCSI не так часто встречаются в компьютерах домашних пользователей. Винчестеры в классическом IDE-исполнении по-прежнему...

News image

Время ожидания и среднее время доступа

Временем ожидания называется среднее время (в миллисекундах), необходимое для перемещения головки к указанному сектору после достижения головкой опр...

Работа с технологией DVD:

Насколько необходим аппаратный DVD-декодер для просмотра DVD-видео?

News image

Это во многом зависит от того, куда планируется выводить изображение. Аппаратный декодер проявит все свои возможност...

Региональная защита

News image

Для того, чтобы проводить прокат фильмов с наибольшей выгодой, производитель DVD-Video диска может установить на него ...

DVD-диски TDK ScratchProof - забудьте про царапины и грязь

News image

Порою DVD дискам мы доверяем чрезвычайно ценную информацию. И хотим, чтобы она была в целости и сохранности, несмотря ...

С видеокассеты на DVD

News image

Аналоговые видеокамеры медленно, но верно уступают место цифровым. А видеокассеты на полке остаются, и качество записе...

В каком формате мы будем записывать диски DVD

News image

С выходом на рынок в этом году первых продуктов DVD+RW давний спор о том, какой из перезаписываемых стандартов DVD явл...

Немного домашней экономики, или зачем нужно пережимать DVD видео?

News image

Вы удивлены тем, что мы начинаем с экономики, а не сразу переходим с сути дела? Ну да, мы живем в эпоху технологическо...

Программы для продвинутых любителей

News image

Sonic DVDiT Professional Edition 2.5.2 - эта программа, несмотря на свою простоту, имеет ряд существенных отличий от п...

Что такое интерактивные возможности DVD?

News image

DVD-Video плееры (и программное обеспечение для воспроизведения DVD-Video) поддерживают набор команд, обеспечивающий э...