Новые технологии:

Что стоит знать о High Definition

News image

Как и все в этом мире, способы записи и воспроизведения видео эволюционируют. На рубеже девятнадцатого и два...

Определенный интеграл, HD-DVD (High-Density DVD), а также Ин

News image

В непростое наше время финансовой беды многие начали сразу раздумывать о том, что замечательно иметь всегда ...

Авторизация





SST Cell
Технологии - О USB flash памяти

sst cell

Если предыдущие варианты реализации ячеек памяти EEPROM получили названия согласно своей физической сути, то имя SST является не чем иным, как аббревиатурой от Silicon Storage Technology. Технология была изобретена в этой компании, и она по праву решила увековечить себя хотя бы в наименовании ячейки.

В сравнении с вышеописанными устройствами SST Cell выглядит более изящно (рис. 4). Как обычно, ячейки объединены вдоль линий слов (страницы) и линий бит (секторы). Ячейки, соединенные управляющими базами, образуют слова, ячейки, соединенные стоками, -- битовые линии. Пару слов (четные и нечетные биты), связанные общим истоком, называют страницей, которая удаляется как единый элемент. Страничная организация частично снимает вопрос перекрестного влияния операций удаления и программирования, ограничивая этот эффект пределами одной страницы.

Процесс удаления заключается в снятии с плавающего затвора отрицательного заряда за счет эффекта туннелирования Фаулера--Нордхейма между управляющей и плавающей базами. Во время удаления к управляющей базе (линия слова) прикладывается высокое напряжение (15 В), в то время как исток и сток ячейки заземляются. За счет выгнутой области у края плавающей базы образуются весьма благоприятные условия для туннелирования. Под воздействием сильного электрического поля электроны, составлявшие отрицательный заряд плавающего затвора, переносятся через тонкий слой диэлектрика-оксида на управляющую базу. В конце концов, на истощенном плавающем затворе формируется положительный заряд. Как видно из схемы ячейки, после выполнения операции удаления при подаче тестового напряжения на управляющий затвор (VREF) и 2 В на сток между стоком и истоком будет протекать ток, поскольку плавающая база создает вспомогательное, положительное поле, дополняющее канал управляющего затвора.

При программировании возникает обратная задача -- необходимо сообщить плавающей базе отрицательный заряд, своим полем преграждающий путь электронам от истока к стоку. Как и обычно, здесь применяется эффект горячих электронов. Сток заземляется, а к истоку прикладывают напряжение 12 В; на управляющий затвор подается напряжение VT, которое открывает часть канала составного транзистора вплоть до области, контролируемой плавающей базой. Высокое напряжение и мощное электрическое поле, возникающее между истоком и стоком, генерируют так называемые горячие тепловые электроны, обладающие высокой энергией, достаточной, чтобы преодолеть барьер 3,2 эВ, создаваемый оксидным изолирующим слоем, и присоединиться к заряду плавающей базы. Процесс останавливается естественным путем, когда емкость плавающей базы исчерпывается.

SST-память является абсолютным лидером по совокупности положительных качеств. Процесс производства ее прост -- 14 масочных слоев против 19 или 21, требуемых для одно - и двухтранзисторных ячеек. Толстый слой окиси (40 нм) снижает вероятность возникновения утечки электронов. Страничная организация уменьшает эффект взаимовлияния при программировании и стирании. Поскольку канал управляется плавающим затвором лишь частично, о такой неприятной вещи, как чрезмерное стирание, можно забыть. Более того, особая форма плавающего затвора снижает требования к напряжению программирования и стирания, а также повышает скорость выполнения данных операций.

И в конце этого небольшого обзора технологий упомянем новые разновидности flash-памяти, одну из которых недавно разработала корпорация Intel -- StrataFlash. За счет технологии multilevel cell (MLC), аналога ML-ROM, она позволяет в каждой ячейке хранить два бита информации. Это достигается тем, что StrataFlash оперирует четырьмя уровнями заряда, кодирующими два бита. Уровень заряда определяет напряжение, которое необходимо приложить к управляющему затвору, чтобы открыть транзистор. Забавно, но в данном случае технология повторяет уже пройденный путь: когда-то в прошлом некоторые автоответчики снабжались flash-памятью, позволявшей при небольшом объеме записывать аудиофрагменты значительной длительности. Магия, достойная Гарри Поттера, на поверку оказалась обыкновенным фокусом: в ячейки записывался аналоговый, т. е., выражаясь модными ныне терминами, многоуровневый сигнал.

Intel первый, но не единственный игрок на рынке MLC. Вслед за корпорацией-первопроходцем технологию начали осваивать STMicroelectronics, SanDisk, Hynix, Samsung, Sharp и Toshiba. Помимо вышеперечисленных компаний, необходимо помнить об альянсе AMD (одного из крупнейших поставщиков flash-памяти) и Fujitsu, который обещает скорое появление альтернативы MLC для чипов NAND-типа (разработками занимается венчурная фирма FASL). Методика называется Mirror Bit и в корне отличается от многоуровневой ячейки Intel. В данном случае речь идет действительно о двух раздельно хранящихся битах. Еще одна мультибитовая технология является плодом усилий компании Saifun -- Nitrided ROM (NROM). Методика позволяет не только хранить по два бита в одной ячейке, но и упрощает процесс изготовления микросхем. В разработке участвуют Infineon и Hynix. Первый анонсированный чип будет иметь емкость 512 Mb.

 


Читайте:


Добавить комментарий


Защитный код
Обновить

Технология работы жёстких дисков:

News image

КАБЕЛИ И РАЗЪЕМЫ НАКОПИТЕЛЕЙ НА ЖЕСТКИХ ДИСКАХ

В большинстве накопителей на жестких дисках предусмотрено несколько интерфейсных разъемов для подключения к системе, подачи питания, а иногда и для ...

News image

Maxtor

Для компании Maxtor выпуск жестких дисков с интерфейсом SCSI связан с приобретением подразделения корпорации Quantum. Самым быстродействующим нак...

News image

Дорожки И Секторы Жд

Дорожка — это одно «кольцо» данных на одной стороне диска. Дорожка записи на диске слишком велика, чтобы использовать ее в качестве единицы хранения...

Работа с технологией DVD:

Подготовка файлов для создания DVD

News image

Как известно, видео на DVD хранится в формате MPEG2 (допускается MPEG1), а звук может быть в форматах PCM (несжатый), ...

Какие виды развёртки бывают, и чем они отличаются?

News image

Развёртка бывает чрезстрочной (interlaced) и прогрессивной (progressive). Чрезстрочная развертка используется на под...

о видео

News image

DVD-VIDEO - одно из применений DVD-ROM. DVD-VIDEO - также одно из применений MPEG-2. Это означает, что формат DVD опре...

Прошивка DVD-привода из DOS

News image

Вставьте в дисковод-флоппи 3,5 -дискету (видите, иногда они еще могут о-о-чень пригодиться!). – Откройте Мой компьюте...

Пережатие DVD видео в исходном формате MPEG2

News image

Пережатие DVD видео может проводиться с перекодировкой в более современные форматы, либо в рамках исходного формата MP...

Работа с DVD-R

News image

Итак, главное блюдо сегодняшнего обеда - работа привода с DVD-R дисками. На данный момент это наиболее совместимый ...

Программы для DVD авторинга

News image

Наиболее известные программы DVD авторинга Adobe Encore DVD Наверное, невозможно встретить современного человека...

Звуковое сопровождение при программном декодировании DVD

News image

Самый простой метод, это микширование звукового сопровождения в обычный стерео и вывод на пару колонок или в наушники,...