Если предыдущие варианты реализации ячеек памяти EEPROM получили названия согласно своей физической сути, то имя SST является не чем иным, как аббревиатурой от Silicon Storage Technology. Технология была изобретена в этой компании, и она по праву решила увековечить себя хотя бы в наименовании ячейки.

В сравнении с вышеописанными устройствами SST Cell выглядит более изящно (рис. 4)

Это двухтранзисторная ячейка с тонким слоем окисла. Второй транзистор позволяет избавиться от многих недостатков, присущих однотранзисторным ячейкам. Второй транзистор (рис. 3) используется для изоляции ячейки от битовой линии

Ячейка с многослойным затвором -- наиболее старый и одновременно простой тип ячейки памяти EEPROM. В основе ее лежит полевой транзистор, имеющий, впрочем, некоторое отличие от классического аналога в виде еще одного, так называемого плавающего затвора. Этот затвор является неотъемлемой частью всех модификаций flash-памяти: он играет ту же роль, что и конденсатор в DRAM, т. е

Типы flash-памяти можно рассматривать на трех уровнях: интерфейсном, видов организации ячеек и типов ячеек. Мы остановимся лишь на двух последних. Вначале коснемся вопроса внутренней организации чипа EEPROM. Сперва ответим на вопрос, что подразумевается под внутренней организацией ? На самом деле, очень простая вещь -- способ соединения ячеек

Flash-память известна и широко применяется достаточно давно. Однако вплоть до последних лет популярность обходила ее стороной, внимание индустрии было приковано к микросхемам DRAM, магнитным носителям, компакт-дискам, но только не к скромным квадратикам flash-памяти. С приходом эры мобильности наследница EEPROM словно обрела второе дыхание.

Изобретателем flash-памяти считается корпорация Intel (1988 г